Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-Kanal 500 mW TO-236-3

Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-Kanal 500 mW TO-236-3

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 20.9 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 190 mA · Leistung (max) P(TOT): 500 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 0.9 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 6 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 190 mA · Serie (Halbleiter): OptiMOSü™ · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 13 µA · U(GS)(th) max.: 1.8 V