Angebot!
Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB

Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB

Der ursprüngliche Preis war: 2,32 €.Der aktuelle Preis ist: 1,16 €.

SKU: E10-255605-BP-134587 Kategorie: Marke:

Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 3550 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 50 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 73 A · Leistung (max) P(TOT): 190 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 140 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 14 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 44 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 100 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Marke

Infineon
Art.-Nr.

IRFB4610PBF
EAN

k.A.

Bewertungen

Es sind noch keine Bewertungen vorhanden.

Sei der Erste, der eine Bewertung abgibt “Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB”

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert

Ähnliche Produkte

Warenkorb
Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220ABInfineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB
Der ursprüngliche Preis war: 2,32 €.Der aktuelle Preis ist: 1,16 €.
Nach oben scrollen