Infineon Technologies IRL7833PBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220AB
MOSFET
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 4170 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 15 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 1.6 A · Leistung (max) P(TOT): 140 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 47 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on): 3.8 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 38 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 30 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2.3 V
Marke | Infineon |
---|---|
Art.-Nr. | IRL7833PBF |
EAN | k.A. |

Bewertungen
Es sind noch keine Bewertungen vorhanden.