Infineon Technologies Transistor (BJT) – diskret BC848C SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Infineon Technologies Transistor (BJT) – diskret BC848C SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

NF-Transistor

PNP-Transistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor Reststrom I(CES): 15 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 30 V · Leistung (max) P(TOT): 330 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 250 MHz · VCE Sättigung (max.): 600 mV